我国特高压输电技术实现从"跟跑"到"领跑"的跨越

因此，特高本文研究了这种Ru/B催化剂捕获N2和电化学转化为NH3的机理。

因此，压输计算表明，压输合适的基板为环境条件下的过渡金属N2还原的优化提供了较大的空间，这将鼓励更多的实验和理论研究，探索2D纳米材料作为基板设计高性能单原子过渡金属用于电化学合成氨的催化剂。电技到步骤0表示在N2吸附过程中转移的电荷。

图2 各种单TM原子在NRR中的吉布斯自由能计算吸附在（a）α片和（b）β12片上的各种单TM原子上的N2分子，术实N2H和NH2物质的吉布斯自由能。文献链接：跟跑ConversionofdinitrogentoammoniaonRuatomssupportedonboronsheets:aDFTstudy（J.Mater.Chem.A,2019,DOI:10.1039/C8TA08219G）本文由材料人编辑部学术组木文韬翻译，跟跑材料牛整理编辑。特高 图5 Ru/Bβ催化的NRR的计算能量分布由Ru/Bβ催化的NRR的计算能量分布：（a）远端（b）交替和（c）酶促机制。

压输（f,g）计算两个基体（f）α片和（g）β12片的结合能-内聚能（Eb +Ec）。电技到（c）TM嵌入硼片的侧视图。

从密度泛函理论（DFT）的研究看，术实由于在N2吸附中的良好性能，术实N2H*形成的低能垒以及NH2*和NH3物质的不稳定性，负载在两个硼片上的Ru原子表现出潜在的N2还原催化活性。

大量工作表明，跟跑由于硼结构的电子缺陷，预期在硼片上比在石墨烯上更容易发生金属原子的吸附。伟大时代呼唤伟大精神，特高崇高事业需要榜样引领。

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